Загрузка...

Лабораторная работа N 2. Полупроводниковые приборы.


1. Исследование выпрямительных полупроводниковых диодов

 Порядок выполнения работы

1.1. Собрать схему для снятия вольт-амперной характеристики (ВАХ) выпрямительного диода (рис. ).

Схема исследования  диода

Тип диода задаётся преподавателем. Амперметр установить в режим измерения постоянного тока.

Схема измерения в программе EWB показана на рис.

Not Supported

1.2. Изменяя напряжение источника ппостоянного напряжения Е от 0 до 0,8-1 В с шагом 0,1 В, измерять ток в цепи (примерно до того значения, когда ток превысит 1 А).

1.3. Изменить полярность подключения диода (или источника ЭДС) и, изменяя напряжение источника от 0 до 10 В с шагом 1 В, измерять ток в цепи.

1.3. Результаты измерений занести в таблицу.

Uпр, В

Iпр, мА

Uобр, В

Iобр, мкА

0

 

0

 

0,1

 

1

 

0,2

 

2

 

 

 

0,7

 

9

 

0,8

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 1.4..По таблице построить график ВАХ I = f(U) (прямую и обратную ветви).

 

2. Исследование биполярных транзисторов

 Исследование входной характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ)

 Порядок выполнения работы

 2.1. Собрать схему (рис. ). Тип транзистора задаётся преподавателем. Амперметр установить в режим измерения постоянного тока.

Исследование входной характеристики биполярного транзистора

Not SupportedСхема измерения в программе EWB показана на рис.

   

 

2.2. Установить при помощи источника Е2 напряжение на коллекторе Uк = 0.

   2.3. Изменяя напряжение на базе Е1 от 0 до 1 В с шагом 0,1 В, измерять ток базы.

   2.4. Провести аналогичные измерения, установив напряжение коллектора Uк = 5 В при помощи источника Е2.

Примечание: в зависимости от типа транзистора (p-n-p или n-p-n) полярности напряжений и направления токов будут меняться.

2.5. Результаты измерений занести в таблицы.

2.6. По таблице построить графики Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 и 5 В.

 Исследование выходной характеристики в схеме с ОЭ.

 2.7. Собрать схему (рис. )

 Исследование выходной характеристики биполярного транзистора

Схема измерения в программе EWB показана на рис

 Not Supported

 

2.7. Задать ток источника в цепи базы равным 0.

2.8. Изменяя напряжение на коллекторе при помощи источника напряжения Е от 0 до 10 В с шагом 1 В, измерять ток коллектора.

2.9. Провести аналогичные измерения тока коллектора , задавая ток базы равным 0,2 мА, 0,4 мА, 0,6 мА…1 мА.

2.10. Построить семейство графиков Iк = f (Uкэ) при разных токах базы Iб.

2.11. Определить по выходной характеристике параметр h21Э. Рассчитать также параметр h21Б.

 

Содержание отчёта

 — Схемы измерений;

— Таблицы измерений;

— Графики характеристик;

— Рассчитанные значения h21Э и h21Б.

Контрольные вопросы

 

Типы диодов, их условные обозначения, основные параметры диодов, ВАХ диодов, пробой p-n-перехода.

Биполярные и полевые транзисторы, режимы работы, схемы включения транзисторов, параметры и характеристики.

.

  

Загрузка...