Для обеспечения нормального режима работы мощных полупроводниковых приборов используют радиаторы различной конструкции, которые увеличивают эффективность теплоотвода, понижают температуру приборов, увеличивают надежность и срок службы.

Тепловое сопротивление «коллекторный переход – корпус транзистора (диода)» определяется конструкцией самого прибора и, и естественно не может быть изменено. Для уменьшения теплового сопротивления «корпус транзистора – радиатор» поверхность радиатора в месте крепления полупроводникового прибора необходимо отшлифовать, проложить между ними тонкую свинцовую прокладку или смазать соприкасающиеся поверхности транзистора и радиатора невысыхающим маслом (например, силиконовым). Если корпус транзистора или диода необходимо изолировать от радиатора, то лучше изолировать весь радиатор от шасси.

При изготовлении радиаторов в виде прямой или изогнутой пластины расчет может быть выполнен по графику. Зная рассеиваемую полупроводниковыми приборами мощность P(Вт) и допустимую температуру перегрева Dt. Определяют площадь поверхности радиатора в виде пластины: ее толщина должна быть 2…4 мм. Следует учесть, что при введении слюдяной прокладки эффективность радиатора уменьшается на 20…50%, а это требует соответственного увеличения его поверхности.

Транзисторы VT5 и VT6 должен нормально работать при температуре окружающей среды до 30° С. допустимая температура его коллекторного перехода не должна превышать +80°С (т.е. перегрев не должен быть выше 50°С).

Рис1. График выбора площади радиатора.

Исходя из конструктивных особенностей примем рассеиваемую мощность 1Вт. Из рисунка 1 очевидно, что площадь радиатора составит 30 см².