Пример 4. Для иллюстрации сказанного рассмотрим результаты расслоенного эксперимента, проведенного для технологического процесса изготовления кристаллов ИМС одного типа 533 серии. Были измерены 213 электрофизических и электрических параметров по 5 тестовым ячейкам 120 пластин, взятых случайным образом из 20 разных партий. Так как расслоенный эксперимент может проводиться только для случайных величин, распределенных по нормальному закону распределения, то таблица исходных данных была использована для предварительного определения фактических законов распределения каждого измеренного параметра.
Очищенные от анормальных наблюдений выборочные данные, обработанные по изложенной методике показали, что большинство измеряемых параметров распределено по нормальному закону, и лишь некоторое (в основном токи утечки) – по экспоненциальному. Результаты расслоенного эксперимента представлены в табл.3.6.
Таблица 3.6
Результаты расслоенного эксперимента для некоторых параметров
|
Номер п/п |
Параметр |
Дисперсия тиража |
Отношение частных дисперсий к дисперсии тиража, (%) |
Показатель точности |
||||
|
Между партиями |
Между пластинами |
Внутри пластин |
Тиража |
Партии |
Пластины |
|||
|
1 |
UВЫХ (0) |
95,4 |
53,9 |
26,5 |
19,6 |
7,69 |
11,11 |
20,00 |
|
2 |
RSЭ |
1,15 |
43,7 |
27,0 |
29,3 |
0,93 |
1,25 |
1,72 |
|
3 |
RSб |
18,30 |
50,2 |
47,8 |
2,0 |
0,23 |
0,33 |
1,67 |
|
4 |
UBX |
144,6 |
32,5 |
24,9 |
42,6 |
2,50 |
3,03 |
3,85 |
|
5 |
Rб |
0,057 |
38,0 |
52,8 |
9,2 |
0,94 |
1,20 |
3,12 |
Анализ результатов расслоенного эксперимента привел к необходимости исследования поведения параметров кристаллов на пластине (т.е. исследования однородности пластин), пределов рассеяния центров распределения пластин внутри партии и тиража ( т.е. математического моделирования процессов изготовления кристаллов), вопроса о точности оценок выборочных распределений (а с ними и достоверность разбраковочного контроля) и вопроса о выявлении минимального списка контролепригодных параметров, содержащих всю (или почти всю) информацию о качестве (а, следовательно, и надежности) изготавливаемых кристаллов.
