В качестве основного элемента устройства используется микросхема, выполняемая по заказу, на принципиальной схеме обозначено как К1700ВТ1А. В качестве технологии, на основе которой, будет изготовлена данная микросхема, наиболее оптимально выбрать КМОП, так как эта технология имеет следующие достоинства: высокую степень интеграции, низкое энергопотребление.
На рис.4.1 представлено условное графическое обозначение данной микросхемы.
Данная микросхема предназначена для подключения к интерфейсу PCI через микросхему сопряжения с интерфейсом PCI1250A. Назначения выводов микросхемы К1700ВТ1А приведено в таблице 4.1.
Таблица 4.1
Назначение выводов микросхемы К1700ВТ1А
|
Название |
№ |
Напр. |
Описание |
|
A_FLASH0 … A_FLASH22 |
42 … 45 |
из |
служат для передачи адреса на микросхемы флэш-памяти |
|
A_SRAM0 … A_SRAM16 |
84 … 99 |
из |
служат для передачи адреса на микросхему кэш-памяти |
|
CAD0 … CAD31 |
10 … 41 |
из/в |
служат для передачи адреса и данных из/в микросхему |
|
CCLK |
7 |
в |
тактовый сигнал |
|
CF1F CF2F CF3F CF4F |
46 47 48 49 |
из |
сигналы для активизации одной из четырех микросхем флэш-памяти |
|
CFRAME |
5 |
в |
определяет начало цикла системного интерфейса |
|
CIRDY |
6 |
в |
выдается активным устройством и сигнализирует готовность приема данных при чтении или готовность данных при записи |
|
CTRDY |
8 |
из |
целевое устройство готово |
|
D_FLASH0 … D_FLASH31 |
50 … 81 |
из/в |
линии передачи данных из/в флэш-память |
|
D_SRAM0 … D_SRAM31 |
100 … 130 |
из/в |
линии передачи данных из/в кэш-памяти |
|
F_READ |
82 |
из |
выдается микросхемой во время чтения из флэш-памяти |
|
F_WRITE |
83 |
из |
выдается микросхемой во время записи в флэш-память |
|
S_READ |
131 |
из |
выдается микросхемой во время чтения в кэш-память |
|
S_WRITE |
132 |
из |
выдается микросхемой во время чтения из кэш-памяти |
|
СС/BE0 СС/BE1 СС/BE2 СС/BE3 |
1 2 3 4 |
в |
предназначены для определения типа цикла обмена с микросхемой |
Рис. 4.1 условное графическое обозначение микросхемы К1700ВТ1А
