Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком. Наиболее характерной чертой ПТ является высокое входное сопротивление, поэтому они управляются напряжением, а не током, как БТ. В ПТ используются носители зарядов только одного типа — только электроны или только дырки. Бывают с p-n – переходом и с изолированным затвором (со встроенным и индуцированным каналом).

ПТ с управляющим p-n – переходом – это ПТ, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n – переходом, смещенным в обратном направлении.

-полевой транзистор с n каналом.

ПТ с изолированным затвором (МДП или МОП транзистор) – это ПТ, затвор которго отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Моп-транзисторы бывают двух типов: с индуцированным и встроенным каналом. В МОП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал м/у сильнолегированными областями истока и стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока. В МОП-транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготовленный технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю.

1. МОП транзистор с встроенным n кана­лом.

2. МОП транзистор с встроенным p ка­налом.

3. МОП транзистор с индуцированным n каналом.

4. МОП транзистор с индуцированным p каналом.

1 2 3 4

Принцип действия ПТ с управляющим p-n-переходом — изменение сопротивления активного слоя путем расширения p-n-перехода при подаче на него напряжения обратного смещения. Ширина перехода зависит от приложенного Е (смещения). Принцип действия транзистора с изолированным затвором тот же самый.

Пороговым напряжением транзистора с индуцированным каналом называется напряжение при котором ток стока дос­тигает заданного низкого значения.

Проходная характеристика полевых транзисторов.

1. МОП тр-р со встроенным каналом

2. переходная характеристика для МОП тр-ра с индуцированным каналом

Полевой транзистор в качестве элемента схемы предтавляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода.

В зависимости от того, какой из электродов ПТ подключен к общему выводу. различают схемы: с общим истоком и входом на затвор, с общим стоком и входом на затвор, с общим затвором и входом на исток.

ОИ ОЗ ОС

Параметры полевых транзисторов: Крутизна (S) S=DI_С/DU_ЗИ (отношение приращения тока стока к приращению напряжения на затворе).Характеризует усилительные свойства транзистора. Напряжение отсечки (пороговое напряжение) при котором появляется индуцированный слой(ток стока достигает заданного минимального значения). Напряжение пробоя- напряжение, при котором наблюдается лавинный пробой транзистора. Начальный ток стока полевого транзистора- ток стока при нулевом напряжении затвора. Параметры: номинальные Сзи, Сзс, Сси, ток утечки затвора; предельные Uзи_max; Uсз_max; Р_max