Биполярный транзистор — это полупроводниковый монокристалл в котором созданы 3 области с чередующимися типами электропроводимости, образующих 2 электрически взаимодействующих p-n-перехода.

Они изготовляются из германия или кремния. В последнее время в основном из кремния. Примерно 90% б/п транзи­сторов применяемых в электронике это транзисторы n-p-n типа.

Коллекторным переходом транзистора называется пе­реход между базой и коллектором.

Эмитерным переходом называется пере­ход между базой и эмитером.

Чтобы транзистор был усилительным элементом, необходимо эммитернный переход включить в прямом, а коллекторный переход — в обратном включении.

Толщина базового слоя п/п на много меньше толщины коллекторного и эми­терного слоев. Процесс перехода элек­тронов из эмитера в базу называется инъекцией. Процесс их дальнейшего втягивания электрическим полем кол­лекторного перехода в коллектор назы­вается экстракцией. I_Э=I_K+I_Б.

Эмитером называется область транзи­стора назначением которой является инъекция носителей заряда в базу.

Коллектором называется область тран­зистора назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. I_K<<I_Б.

Коэффициентом передачи тока базы b называется отношение тока коллектора к вызвавшему его току базы. b=I_K/I_Б.

Коэффициентом передачи тока эмитера называется отношение тока коллектора к току эмитера. ?=I_K/I_Э.

Транзисторы классифицируют по исходному материалу (германиевые и кремневые), диапазону рабочих частот (транзисторы низких, средних и высоких частот), по мощности (транзисторы малой, средней и большой мощьности), по принципу действия (усилители, генераторы, переключатели и т.д.).

Схемы включения на рис.

ВАХ содержат информацию о свойствах транзистора во всех режимах работы при больших и малых сигналах. ВАХи n-p-n транзистора

Статические характеристики: h-параметры (h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂).

Для описания дифференциальных параметров транзистора его можно представить как активный линейный четырёхполюсник.

Здесь: U₁-входное напряжение , U₂-выходное напряжение , I₁-ток во входной цепи , I₂-ток в выходной цепи .

Описание четырёхполюсника h-параметрами имеет вид:

U₁=h₁₁I₁+h₁₂U₂ ; I₂=h₂₁I₁+h₂₂U₂

Здесь h₁₁-входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на его выходе: h₁₁=U₁/I₁ (U₂=0).

h₁₂-коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе: h₁₂=U₁/U₂ (I₁=0).

h₂₁-коэффициент усиления по току при коротком замыкании на его выходе: h₂₁=I₂/I₁ (U₂=0).

h₂₂-выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе: h₂₂=I₂/U₂ (I₁=0).

Единицы измерения h-параметров различны: h₁₁измеряется в омах , h₂₂ в сименсах, остальные — безразмерны.