В памяти BEDO DRAM (Burst EDO) – кроме регистра-защелки выходных данных, стробируемого теперь по фронту импульса CAS#, содержится внутренний счетчик адреса колонок для пакетного цикла. Это позволяет выставлять адрес колонки только в начале пакетного цикла, а в последующих передачах импульсы CAS# только запрашивают очередные данные. В результате удлинения конвейера выходные данные отстают на один такт сигнала CAS#, зато следующие данные появляются без тактов ожидания процессора, чем обеспечивается лучший цикл чтения. Задержка появления первых данных пакетного цикла окупается повышенной частотой приема последующих. BEDO-память применялась в модулях SIMM-72 и DIMM.