Понятие «страница» относится к строке (row), а состояние с низким уровнем сигнала RAS# называется «открытой страницей». Преимущество данного режима заключается в экономии времени за счет исключения фазы выдачи адреса из циклов, следующих за первым, что позволяет повысить производительность памяти.

Память EDO DRAM (Extended Data Out) содержит регистр-защелку выходных данных, что обеспечивает некоторую конвейеризацию работы для повышения производительности при чтении. Регистр прозрачен при низком уровне сигнала CAS#, а по его подъему фиксирует текущее значение выходных данных до следующего его спада. Перевести выходные буферы в высокоимпедансное состояние можно либо подъёмом сигнала OE# (Out Enable), либо одновременным подъемом сигналов CAS# и RAS#, либо импульсом WE#(Write Enable), который при высоком уровне CAS# не вызывает записи.

Отличие режима EDO от стандартного (FPM) заключается в подъеме импульса CAS# до появления действительных данных на выходе микросхемы. Считывание выходных данных может производится внешними схемами вплоть до спада следующего импульса CAS#, что позволяет экономить время за счет сокращения длительности импульса CAS#. Время цикла внутри страницы уменьшается, повышая производительность в страничном режиме на 40%.