Динамическая память DRAM – называется так по принципу действия ее запоминающих ячеек, которые выполнены в виде конденсаторов, образованных элементами полупроводниковых микросхем. При отсутствии обращения к ячейке со временем за счет токов утечки конденсатор разряжается и информация теряется, поэтому такая память требует периодической подзарядки конденсаторов путем обращения к каждой ячейке – такая память может работать только в динамическом режиме. Этим она принципиально отличается от статической памяти, реализуемой на триггерных ячейках и хранящей информацию без обращений к ней длительное время.

Запоминающие ячейки микросхем DRAM организованы в виде двумерной матрицы. Адреса строки и столбца передаются по мультиплексированной шине адреса и стробируются по спаду импульсов RAS# (Row Access Strobe) и CAS# (Column Access Strobe), т.е. выборки строки или столбца.

Асинхронная память.

Поскольку запись или чтение различных ячеек памяти происходит в случайном порядке, то для поддержания сохранности данных применяется регенерация памяти – регулярный циклический перебор ячеек с холостыми циклами.

Режим быстрого страничного обмена FPM (Fast Page Mode) является случаем последовательного обращения к ячейкам, принадлежащим к одной строке матрицы. Здесь адрес строки выставляется на шине только один раз и сигнал RAS# удерживается на низком уровне на время всех последующих циклов обращений, которые могут быть как циклами записи, так и чтения.