Полевые транзисторы с изолированным затвором
МОП-транзисторы (метал–окисел – п/п)
МДП – транзисторы (метал – диэлектрик – п/п)
Существует два вида транзисторов с изолированным затвором: со встроенным каналом и с индуцированным каналом.
1. При приложению к затвору отрицательного напряжения электроны отталкиваются, в результате создается обедненный носителями слой. Такой режим называется режимом объединения. В режиме объединения проводимость канала уменьшается.
2. При подаче на затвор положительного напряжения происходит обогащение канала носителями заряда. Такой режим называют режимом обогащения. В режиме обогащения проводимость канала увеличивается.
Подложка МОП транзистора выполняет функцию диэлектрика, для чего на нее подается отрицательный потенциал.
Полевой транзистор с
индуцированным каналом
Полевой транзистор с индуцированным каналом работает при положительном напряжении. При приложении к затвору положительного напряжения индуцируется канал за счет не основных носителей подложки.
Пороговым напряжением транзистора с индуцированным каналом называется напряжение при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
1. МОП тр-р со встроенным каналом
2. переходная характеристика для МОП тр-ра с индуцированным каналом
МОП транзистор с индуцированным n каналом: 3
МОП транзистор с индуцированным p каналом: 4
МОП транзистор с встроенным n каналом: 1
МОП транзистор с n встроенным p каналом: 2
1 2 3 4
СХЕМА ЗАМЕЩЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА.
Данная схема справедлива для всех рассмотренных типов полевых транзисторов.
Схема включения полевого транзистора с общим истоком.
Схема включения полевого транзистора с общим затвором.
Схема включения полевого транзистора с общим стоком.
Полевые транзисторы работают до частот 1500мГц.
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
1948г. изобретен б/п транзистор Шокли.
Транзистор p-n-p типа.
Транзистор n-p-n типа.
Они изготовляются из германия или кремния. В последнее время в основном из кремния. Примерно 90% б/п транзисторов применяемых в электронике это транзисторы n-p-n типа. Коллекторным переходом транзистора называется переход между базой и коллектором.
Эмитерным переходом называется переход между базой и эмитером.
Толщина базового слоя п/п на много меньше толщины коллекторного и эмитерного слоев. Процесс перехода электронов из эмитера в базу называется инъекцией. Процесс их дальнейшего втягивания электрическим полем коллекторного перехода в коллектор называется экстракцией.
Эмитером называется область транзистора назначением которой является инъекция носителей заряда в базу.
Коллектором называется область транзистора назначением которой является экстракция носителей заряда из базы.
Коэффициентом передачи тока базы бета называется отношение тока коллектора к вызвавшему его току базы.
Коэффициентом передачи тока эмитера называется отношение тока коллектора к току эмитера.
Схемы включения б\п транзистора.
1 2 3
1- c общим эммитером; 2- с ОБ; 3- с ОК
Параметр иногда называют коэффициентом усиления тока в схеме с ОЭ.
Параметр иногда называют коэффициентом усиления передачи тока в схеме с ОБ.
Для современных транзисторов величина параметра бета колеблется от 10 до нескольких тысяч.
Величина параметра альфа=0.95-0.999
}
ВАХи n-p-n транзистора
Эквивалентная упрощенная
Схема для измерения ВАХ