Загрузка...

Классификация транзисторов


Транзисторами с малой мощностью называются транзисторы с предельной рассеиваемой мощностью до 0.5 Вт. Средней мощности от 0.5 до 1.5 Вт. Большой мощности – более 1.5 Вт.
Кроме того:
Низкочастотными называют транзисторы с граничной частотой коэффициента передачи тока менее 3 мГц.
Среднечастотными от 3 до 30 мГц.
Высокочастотными более 30 мГц.
Частота на которой модуль коэффициента передачи тока базы бета уменьшается в корень из двух раз по сравнению с его значением на низкой частоте – называется граничной или предельной частотой коэффициента передачи тока базы и обозначается .
Частота на которой модуль коэффициента передачи тока эмитера уменьшается в корень из двух раз по сравнению с его значением на низкой частоте называется граничной или предельной частотой коэффициента передачи тока эмитера и обозначается

альфа нулевое — это коэффициент передачи тока на низкой частоте.

ПАРАМЕТРЫ Б/П ТРАНЗИСТОРОВ.
Номинальные параметры:
1. обратный ток коллектора
2. обратный ток эмитера
3. обратный ток коллектор-эмитер
4. статический коэффициент передачи в схеме с общим эмитером
5. статический коэффициент передачи в схеме с общей базой
6. емкость коллекторного перехода
7. емкость эмитерного перехода
8. h – параметры
Предельные параметры:
1. максимальный ток коллектора
2. максимальный импульсный ток коллектора
3. максимальный ток базы
4. максимальная рассеиваемая мощность базы
5. максимальная импульсная мощность
6. максимальная температура транзистора

h-параметры транзистора .
Для описания дифференциальных параметров транзистора его можно представить как активный линейный четырёхполюсник.

Здесь: U1-входное напряжение , U2-выходное напряжение , I1-ток во входной цепи , I2-ток в выходной цепи .
Описание четырёхполюсника h-параметрами имеет вид:
. . . . . . . . . .
U1=h11I1+h12U2 ; I2=h21I1+h22U2
Здесь h11-входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на его выходе
h12-коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе
h21-коэффициент усиления по току при коротком замыкании на его выходе
h22-выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе
h11=U1/I1 (U2=0)
h12=U1/U2 (I1=0)
h21=I2/I1 (U2=0)
h22=I2/U2 (I1=0)
Режимы короткого замыкания и холостого хода могут быть реализованы соответствующим включением катушек индуктивности и конденсаторов. Единицы измерения h-параметров различны: h11измеряется в омах , h22 в сименсах, остальные — безразмерны. При переходе от одной схемы включения к другой –значения параметров меняется, и перерасчёт их можно произвести по формулам, приводимых в справочниках . h-параметры удобно измерять (и применять) на низкой частоте.

Графическое определение
h-параметров.
Для схемы с общим эмиттером:

На маленьком кусочке тр-р можно считать идеальным.
H11Э=?Uбэ/?Iб
ОЭ

H12Э=?Uбэ/?Uкэ=?Uбэ/?U1

H22Э=?I2/?U2

H21Э=?Iк/?Iб
h-это параметры малосигнального режима транзистора , характеризующие работу транзистора как усилительного элемента на низкой частоте . Значения всех h-параметров зависят от положения рабочей точки транзистора. Значениями h-параметров, приводимых в справочниках можно пользоваться в тех случаях, когда указанный в справочнике режим их измерения совпадает с параметрами выбранной рабочей точки транзистора.
Экспериментальное определение
h-параметров.
Для экспериментального определения h-параметров нужно собрать следующие схемы:
H11Э=(E-Uбэ)/R2
H11Э=U`бэ/I`б=(U`бэR1)/UR1
Схема измерения H11:

H12Э=U1/U2
Схема упрощения H22

H22Э=I`к/U`1=(U`2-U1)/(U1R3)
Схема измерения H21

H21Э=(U`1R1)/((U3-U2)R3)
Упрощенный метод измерения
параметра H21Э:

H21Э??=(Iк/UR)/R=(IKR)/(E-0.6B)
Простейшая схема замещения транзистора.
Анализируя уравнения h-параметров, можно получить схему замещения транзистора:

В ней генератор ЭДС учитывает наличие напряжения обратной связи во входной цепи.
Идеальный генератор тока учитывает взаимосвязь входного и выходного токов.
Схема замещения Джиаколетто.

СЭ, СК — определяется по справочнику
Rбб- распределение сопротивления базы (50-100 Ом)
Rбэ=H11Э- Rбб
Rбк= RбЭ / H12Э
Rкэ= 1 / (H22Э-(1/(Rбэ+Rбк))
В схеме учитываются инерционные свойства транзистора.
Крутизной биполярного транзистора называется отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока базы.
S=dIk/dUбэ?I `э/U `бэ=1/rдиф=I2/?T=4eI2 , т т. е. Крутизна биполярного транзистора в отличие от коэффициента усиления по току не зависит от типа биполярного транзистора.

Работа транзистора с нагрузкой.

Uвых=Еп-URH
IR=IH= URH/RH=(Еп-Uвых)/RH
IK=(Eп/RH)-(Uвых/RH)

Составной транзистор
(схема Дарлингтона).

экв=(?1 IбVT1+?2(?1+1)IбVT1)/ IбVT1=?1(1+?2)??1?2

экв=?1(?2+1)IбVT1/ IбVT1=?1(1+?2)??1?2
Составные транзисторы применяются в тех случаях, когда коэф-та усиления по току одиночного тр-ра оказывается недостаточно.

Загрузка...