Для обеспечения нормального режима работы мощных полупроводниковых приборов используют радиаторы различной конструкции, которые увеличивают эффективность теплоотвода, понижают температуру приборов, увеличивают надежность и срок службы.

Для расчетов радиаторов необходимо знать параметры.ю определяющие так называемые тепловые сопротивления отдельных участков системы «полупроводниковый прибор – радиатор». К ним относятся тепловые сопротивления «коллекторный переход – корпус транзистора», «корпус транзистора – радиатор» и «радиатор – окружающая среда».

Тепловое сопротивление «коллекторный переход – корпус транзистора (диода)» определяется конструкцией самого прибора и, и естественно не может быть изменено. Для уменьшения теплового сопротивления «корпус транзистора – радиатор» поверхность радиатора в месте крепления полупроводникового прибора необходимо отшлифовать, проложить между ними тонкую свинцовую прокладку или смазать соприкасающиеся поверхности транзистора и радиатора невысыхающим маслом (например, силиконовым). Если корпус транзистора или диода необходимо изолировать от радиатора, то лучше изолировать весь радиатор от шасси.

При изготовлении радиаторов в виде прямой или изогнутой пластины расчет может быть выполнен по графику. Зная рассеиваемую полупроводниковыми приборами мощность P(Вт) и допустимую температуру перегрева Dt. Определяют площадь поверхности радиатора в виде пластины: ее толщина должна быть 2…4 мм. Следует учесть, что при введении слюдяной прокладки эффективность радиатора уменьшается на 20…50%, а это требует соответственного увеличения его поверхности.

Транзистор VT4 должен нормально работать при температуре окружающей среды до 30°С. допустимая температура его коллекторного перехода не должна превышать +80°С (т.е. перегрев не должен быть выше 50°С). Т.к. транзистор работает только в ключевом режиме, то рассеиваемая мощность может достигать не более 2Вт и перегреве 50°С по графику (рис. 2) находим S = 52см2.

Микросхема DA1 должна нормально работать при температуре окружающей среды до 30°С. допустимая температура его коллекторного перехода не должна превышать +80°С (т.е. перегрев не должен быть выше 50°С). При рассеиваемой мощности 10Вт и перегреве 55°С (с запасом 5°С) по графику (рис. 2) находим S = 220см2.